我们来了，北京普能微电子GaN氮化镓功率放大器产品发布

上周，我司重磅量产发布模数混合可编程智能射频功放偏置精准控制SoC芯片GBQ6600后，市场反馈热烈，深受射频工程师们的喜爱。

今天，又一个重要的日子2023年11月16日，北京普能微电子对外正式发布全新第三代半导体氮化镓射频功率放大器系列。该GaN系列产品设计全部采用普能独特电路设计方案，为客户设计低成本塑封和高可靠性陶瓷封装满足不同市场需求，同时支持宽带应用覆盖DC-6GHz 主流应用，可以广泛应用于4G和5G移动通信基站、专网通信、多天线相控阵、射频电源、射频能量以及医疗核磁共振MRI等产品中。

 GaN做为第三代半导体材料，又称为宽禁带半导体材料。其禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度都大于Silicon、GaAs和LDMOS，这使得GaN在射频器件方面具有先天优势。而碳化硅基GaN器件适用于高功率、高频率、高效率的应用，并且具备出色的可靠性，因此在雷达和通信系统中可以充分体现其特点。

射频氮化镓的市场应用非常广泛，主要包括无线通信、卫星通信、雷达、医疗设备等领域。此外，随着5G通信、物联网等新兴应用的发展，射频氮化镓的市场需求将不断增长。例如，氮化镓射频器件可以用于5G基站中的功率放大器，以满足5G网络的高速度、大容量、低延迟等要求。中国现已建成全球最大的5G网络。截至今年9月底，我国已累计建成5G基站318.9万个。在刚刚揭晓的中国电信800MHz重耕工程无线网主设备采购招标的800M NR基站规模约25万站，预计70亿人民币市场规模。根据Yole Intelligence 在2023年6月公开的碳化硅基的氮化鎵(GaN-SiC)在基础设施中的市场价值从2018年开始逐年提升，目前已经远远超过LDMOS成为市场产品主流。

我们可以看到第三代半导体GaN氮化镓产品具有高带宽、高效率等特性，目前已经得到产业界的广泛使用，其价值也已经得到社会各界的广泛认可，且对未来的市场空间也充满期待。同样在Yole Intelligence 在2023年6月公开2022-2028年RF GaN 市场预测中，到2028年GaN市场规模将达到27亿美金。

北京普能微电子团队在射频大功率功放有着超过30多年的丰富产品设计研发经验，希望通过这次GaN产品的发布，再次兑现我们向市场和客户做出的郑重承诺，用深厚的产业经验和创新的产品设计持续支持市场对第三代半导体氮化鎵快速迭代的需求。